GaN SiC それぞれの特性を活かした次世代パワー半導体

GaN（窒化ガリウム）は、小型・高効率特性に優れ、通信機器や電源回路の高効率化に寄与します。
一方、SiC（炭化ケイ素）は高耐圧・高温特性に優れ、EVや産業機器において高耐圧と安定動作を実現します。
これらの特性を活かしたパワーモジュールは、次世代パワー半導体における重要な基盤となります。

GaNパワー半導体

小型・高効率特性を考える次世代半導体
【用途】通信機器・電源回路
【特性】小型・高効率・高周波対応
GaNパワー半導体は高効率化に優れる

GaNパワー半導体について詳しく見る

SiCパワー半導体

高耐圧・高温に適する次世代半導体
【用途】EV・産業機器
【特性】高耐圧・高温・高安定動作
SiCパワー半導体は高耐圧化に優れる

SiCパワー半導体について詳しく見る

パワーモジュール・ゲートドライブの研究開発と技術基盤

⼤分⼤学発ベンチャーNext Semiconductorは、
GaN・SiCなど次世代パワー半導体を中⼼に、パワーモジュールやゲートドライブを最適化し、
電気をより効率的に活かす未来を創ることで、持続可能なエネルギー社会の実現に挑んでいます。

コア技術・対象製品

次世代パワー半導体を最適に動かす技術

パワー半導体
パワーモジュール
ゲートドライブ