モジュール・ゲートドライブ基板

次世代半導体が、未来の設計を変えていく

GaNとSiC、それぞれの特性を活かしたモジュールで、性能と柔軟性を両立

小型・高周波特性を考える次世代半導体

高電圧・高温に適する次世代半導体

GaN（窒化ガリウム）は小型・高速動作に優れ、通信機器や電源回路の高効率化に貢献します。
SiC（炭化ケイ素）は高電圧・高温に強く、EVや産業機器でも安定動作を実現します。
それぞれの特性を活かしたモジュールが、次世代の設計課題に応える鍵となります。

2in1モジュールは、制御と駆動をひとつに。
スマートな構成で、設計の自由度と性能を同時に引き上げます。

6in1モジュールは、複数回路を一体化。
コンパクトな構成で、設計自由度と高効率を同時に引き上げます。

2in1モジュールは、制御と駆動をひとつに統合。
高耐圧・高温環境でも安定した動作を実現し、
車載や産業用途での高効率化に貢献します。

6in1モジュールは、複数の回路を一体化した高密度構造。
大電力領域でも損失を抑え、システム全体の効率と信頼性を向上します。

その他（Another）は、既存の分類にとらわれない柔軟な構成や特殊仕様を備えたモジュール群。
多様なニーズに応えるための、自由度と拡張性に富んだ選択肢です。